半导体放电管的特性参数是什么？

半导体放电管（也称为固体放电管）是使用没有由自由电压控制的栅极的晶闸管的PNPN模块。当电压超过关闭状态的峰值电压（或雪崩电压）时，半导体放电将瞬态电压箝位在模块的开关电压（或反转电压）上。当电压持续上升时，由于负电阻效应，半导体放电管变为导通状态。仅当电流小于保持电流时，元件才会复位并返回高阻状态。那么半导体放电管的特性参数是什么？

半导体放电管的特性参数是什么？

1、断态电压VRM和漏电流IRM:断态电压VRM表示半导体续流扇区不导通的电压，在该电压下漏电流IRM很小。

2、击穿电压VBR:规定的试验电流IR（一般为1mA）流动时的电压。这是表示半导体浪涌保护器开始导通的标识电压。

3、转折电压VBO和转折电流IBO:当电压上升到反相电压VBO时（对应的电流为反相电流IBO），半导体浪涌保护器完全导通，呈现小阻抗，两端电压VT立即降低到低值（通常为5V左右）

4、峰值脉冲电流IPP:半导体浪涌保护器能承受的脉冲电流。

5、维持电流IH:半导体飞轮保护器维持导通电流。当流过的电流小于保持电流IH时，返回截止状态。

6、静态电容C:半导体电涌保护器的电容值。

选择半导体放电管时应该注意的问题是什么？

1.瞬时峰值电流IPP要大于通信设备标准的规定值。例如，FCC Part68A型IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应该大于25 A。

2.开关电压Vs要小于保护电路允许的瞬时峰值电压。

3.峰值关断状态的电压要大于保护对象电路的工作电压。例如，在pots APP应用中，振铃电压（150V）峰值电压（150*1.41=212.2V）与峰值DC偏置电压（56.6V）之和为268.8V，因此VBR大于268.8V的器件

4.器件的保持电流IH要大于系统能提供的电流值，以便在有较大的浪涌电流流过后半导体放电管自行恢复。也就是说，IH（系统电压/电源阻抗）。